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Vishay Siliconix SI6473DQ-T1-GE3

Name: SI6473DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6473DQ-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5.0 (125 reviews)

Número de pieza de MFG: SI6473DQ-T1-GE3

Cantidad disponible: 99280 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI6473DQ-T1-GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SI6473DQ-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SI6473DQ-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI6473DQ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.08W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSSOP
Paquete / Caja	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI6473DQ-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI6473DQ-T1-GE3-FT

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