casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPB80N08S2-07

| Número de pieza del fabricante | SPB80N08S2-07 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SPB80N08S2-07 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| SPB80N08S2-07 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 66A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6130pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPB80N08S2-07 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SPB80N08S2-07-FT |

NTB4302T4G
ON Semiconductor

NTB65N02R
ON Semiconductor

NTB65N02RG
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NTB75N03-6T4G
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NTB75N03L09G
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.

XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.

LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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EP1S40F1020C5N
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