casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6473DQ-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI6473DQ-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6473DQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6473DQ-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.08W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6473DQ-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6473DQ-T1-E3-FT |
SPB80N06S2L-06
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-07
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SPB80N06S2L-09
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Infineon Technologies
SPB80N08S2L-07
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