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Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SI5513DC-T1-GE3
Cantidad disponible
27120 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI5513DC-T1-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI5513DC-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Potencia - max 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5513DC-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI5513DC-T1-GE3-FT

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