casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5406CDC-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI5406CDC-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5406CDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5406CDC-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5406CDC-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5406CDC-T1-GE3-FT |
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel