casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ7414AENW-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ7414AENW-T1_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQ7414AENW-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SQ7414AENW-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1590pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ7414AENW-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ7414AENW-T1_GE3-FT |
SIE820DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE820DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE822DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE822DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE830DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE830DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE832DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE868DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel