casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4953ADY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4953ADY-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4953ADY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4953ADY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4953ADY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4953ADY-T1-E3-FT |
SH8M4TB1
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AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
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EP3C25F324I7
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EP20K200EQC208-2X
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