casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4622DY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4622DY-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4622DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SkyFET®, TrenchFET® |
SI4622DY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2458pF @ 15V |
Potencia - max | 3.3W, 3.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4622DY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4622DY-T1-E3-FT |
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Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXEA5N2F40C1N
Intel
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel
10AX066N4F40I3LG
Intel