casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4554DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4554DY-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4554DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4554DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 690pF @ 20V |
Potencia - max | 3.1W, 3.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4554DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4554DY-T1-GE3-FT |
FDW2501NZ
ON Semiconductor
FDW2502P
ON Semiconductor
FDW2503N
ON Semiconductor
FDW2503NZ
ON Semiconductor
FDW2504P
ON Semiconductor
FDW2506P
ON Semiconductor
FDW2507N
ON Semiconductor
FDW2507NZ
ON Semiconductor
FDW2508P
ON Semiconductor
FDW2508PB
ON Semiconductor
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel