casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4446DY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4446DY-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4446DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4446DY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 700pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4446DY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4446DY-T1-E3-FT |
RSS075P03TB
Rohm Semiconductor
RSS080N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS085N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor
RSS095N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03TB
Rohm Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel