casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RSS100N03FU6TB
Número de pieza del fabricante | RSS100N03FU6TB |
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Número de parte futuro | FT-RSS100N03FU6TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSS100N03FU6TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (Max) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1070pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS100N03FU6TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RSS100N03FU6TB-FT |
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4442DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4447DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4451DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel