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Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3

Name: SI2356DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2356DS-T1-GE3
Price: 0.101416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (363 reviews)

Número de pieza de MFG: SI2356DS-T1-GE3

Cantidad disponible: 95870 Piezas

Precio de referencia: USD 0.101416

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI2356DS-T1-GE3.pdf

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SI2356DS-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SI2356DS-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SI2356DS-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI2356DS-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	51 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	370pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2356DS-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI2356DS-T1-GE3-FT

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