casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1470DH-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1470DH-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1470DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1470DH-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 510pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1470DH-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1470DH-T1-E3-FT |
APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
APT1204R7KFLLG
Microsemi Corporation
APT12F60K
Microsemi Corporation
APT15F50K
Microsemi Corporation
APT30N60KC6
Microsemi Corporation
APT4F120K
Microsemi Corporation
APT4M120K
Microsemi Corporation
APT5F100K
Microsemi Corporation
APT6M100K
Microsemi Corporation
APT7F80K
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel