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Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3

Número de pieza de MFG
SI2309DS-T1-E3
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89310 Piezas
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI2309DS-T1-E3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI2309DS-T1-E3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2309DS-T1-E3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI2309DS-T1-E3-FT

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