casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS127H6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSS127H6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSS127H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS127H6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 8µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS127H6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS127H6327XTSA1-FT |
FDN359AN
ON Semiconductor
FDN537N
ON Semiconductor
FDN5632N-F085
ON Semiconductor
SI2304-TP
Micro Commercial Co
SI2304BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305-TP
Micro Commercial Co
SI2307BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2310-TP
Micro Commercial Co
SI2333DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2338DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel