casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1012R-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1012R-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1012R-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1012R-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-75A |
Paquete / Caja | SC-75A |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1012R-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1012R-T1-E3-FT |
SIB404DK-T1-GE3
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XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel