casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIB411DK-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIB411DK-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIB411DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIB411DK-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 470pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-75-6L |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB411DK-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIB411DK-T1-GE3-FT |
SIA411DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation