casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SFAF1006GHC0G
Número de pieza del fabricante | SFAF1006GHC0G |
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Número de parte futuro | FT-SFAF1006GHC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF1006GHC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF1006GHC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFAF1006GHC0G-FT |
SRAF860 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF860HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF890 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF890HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel