casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HERAF1006G C0G
Número de pieza del fabricante | HERAF1006G C0G |
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Número de parte futuro | FT-HERAF1006G C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1006G C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 80ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1006G C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HERAF1006G C0G-FT |
SF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel