casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SE20AFJ-M3/6A
Número de pieza del fabricante | SE20AFJ-M3/6A |
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Número de parte futuro | FT-SE20AFJ-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SE20AFJ-M3/6A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE20AFJ-M3/6A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SE20AFJ-M3/6A-FT |
IMBD4148-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel