casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / IMBD4448-G3-08
Número de pieza del fabricante | IMBD4448-G3-08 |
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Número de parte futuro | FT-IMBD4448-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
IMBD4448-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMBD4448-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMBD4448-G3-08-FT |
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006TFP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel