Número de pieza del fabricante | 80EPS12 |
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Número de parte futuro | FT-80EPS12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
80EPS12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 80A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.17V @ 80A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
80EPS12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 80EPS12-FT |
VS-SD1500C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C12L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C16L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C25L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1500C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD2000C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD2000C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD2000C10L
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel