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STMicroelectronics SCTW90N65G2V
- Número de pieza de MFG
- SCTW90N65G2V
- Cantidad disponible
- 15830 Piezas
- Precio de referencia
- USD 48.12
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- STMicroelectronics
- Breve descripción
- - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SCTW90N65G2V.pdf
SCTW90N65G2V Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SCTW90N65G2V |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SCTW90N65G2V |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCTW90N65G2V Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 390W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | HiP247™ |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCTW90N65G2V Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SCTW90N65G2V-FT |
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