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IXYS IXFT150N17T2

Número de pieza de MFG
IXFT150N17T2
Cantidad disponible
46440 Piezas
Precio de referencia
USD 5.084
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IXFT150N17T2
Número de parte futuro FT-IXFT150N17T2
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, TrenchT2™
IXFT150N17T2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 175V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 150A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 233nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14600pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 880W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT150N17T2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFT150N17T2-FT

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