casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AONR32314
Número de pieza del fabricante | AONR32314 |
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Número de parte futuro | FT-AONR32314 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AONR32314 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Ta), 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1420pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4.1W (Ta), 24W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (3x3) |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AONR32314 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AONR32314-FT |
DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH62M8LPS-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel