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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7

Name: SCTH90N65G2V-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTH90N65G2V-7
Price: 37.7128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (413 reviews)

Número de pieza de MFG: SCTH90N65G2V-7

Cantidad disponible: 62480 Piezas

Precio de referencia: USD 37.7128

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SCTH90N65G2V-7.pdf

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SCTH90N65G2V-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SCTH90N65G2V-7
Número de parte futuro	FT-SCTH90N65G2V-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCTH90N65G2V-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3300pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-7
Paquete / Caja	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTH90N65G2V-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SCTH90N65G2V-7-FT

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