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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Número de pieza de MFG
SCT2H12NYTB
Cantidad disponible
71350 Piezas
Precio de referencia
USD 2.9452
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Fecha de envío
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SCT2H12NYTB
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT2H12NYTB Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 184pF @ 800V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2H12NYTB Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SCT2H12NYTB-FT

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