casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ATP218-TL-H
Número de pieza del fabricante | ATP218-TL-H |
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Número de parte futuro | FT-ATP218-TL-H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ATP218-TL-H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6600pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ATPAK |
Paquete / Caja | ATPAK (2 leads+tab) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATP218-TL-H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ATP218-TL-H-FT |
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