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SCT20N120 Image

STMicroelectronics SCT20N120

Número de pieza de MFG
SCT20N120
Cantidad disponible
55010 Piezas
Precio de referencia
USD 12.584
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Fecha de envío
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fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
- MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SCT20N120
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT20N120 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 650pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT20N120 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SCT20N120-FT

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