casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S72XS256RE0AHBJ23
Número de pieza del fabricante | S72XS256RE0AHBJ23 |
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Número de parte futuro | FT-S72XS256RE0AHBJ23 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XS-R |
S72XS256RE0AHBJ23 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH, DRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 133-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 133-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBJ23 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S72XS256RE0AHBJ23-FT |
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
S29GL256N10FFI010
Cypress Semiconductor Corp
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel