casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS04G200BHI900
Número de pieza del fabricante | S34MS04G200BHI900 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS04G200BHI900 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS04G200BHI900 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHI900 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS04G200BHI900-FT |
S34ML01G200BHI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel