casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS04G200BHI000
Número de pieza del fabricante | S34MS04G200BHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS04G200BHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS04G200BHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS04G200BHI000-FT |
IS29GL256S-10DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV01-TR
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel