casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS29GL256S-10DHB01-TR
Número de pieza del fabricante | IS29GL256S-10DHB01-TR |
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Número de parte futuro | FT-IS29GL256S-10DHB01-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL256S-10DHB01-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL256S-10DHB01-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS29GL256S-10DHB01-TR-FT |
S29GL512S11FHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHB023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12DHBV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12DHIV10
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