casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS01G204BHA010
Número de pieza del fabricante | S34MS01G204BHA010 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS01G204BHA010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS01G204BHA010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G204BHA010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS01G204BHA010-FT |
S34ML08G101BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI500
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp