casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL512T13DHNV10
Número de pieza del fabricante | S29GL512T13DHNV10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL512T13DHNV10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL512T13DHNV10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 130ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512T13DHNV10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL512T13DHNV10-FT |
6116SA120TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA150TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA25SOGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA25SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA25TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA45TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA90TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L100TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel