casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116SA20TDB
Número de pieza del fabricante | 6116SA20TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116SA20TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA20TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA20TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116SA20TDB-FT |
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
MX29F200CBMC-70G
Macronix
MX29F200CBMC-90G
Macronix
MX29GL256FDXGI-11G
Macronix
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
MX29LV400CBXBC-90G
Macronix
MX29LV400CBXBI-90G
Macronix
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel