casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL256S10DHSS10
Número de pieza del fabricante | S29GL256S10DHSS10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL256S10DHSS10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S10DHSS10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10DHSS10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL256S10DHSS10-FT |
S29CD032J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0JQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0JQFM033
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0MQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0JQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM010
Cypress Semiconductor Corp
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation