casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29CD032J0RFAM010
Número de pieza del fabricante | S29CD032J0RFAM010 |
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Número de parte futuro | FT-S29CD032J0RFAM010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CD-J |
S29CD032J0RFAM010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (1M x 32) |
Frecuencia de reloj | 75MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 54ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.75V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-FBGA (13x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29CD032J0RFAM010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29CD032J0RFAM010-FT |
S26KS256SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDGBHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHV020
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel