casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S26KS512SDABHN030
Número de pieza del fabricante | S26KS512SDABHN030 |
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Número de parte futuro | FT-S26KS512SDABHN030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KS |
S26KS512SDABHN030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 96ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDABHN030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S26KS512SDABHN030-FT |
S25FL128SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel