Número de pieza del fabricante | S25M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S25M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S25M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S25M-FT |
MBR80100
GeneSiC Semiconductor
MBR80100R
GeneSiC Semiconductor
MBR8020
GeneSiC Semiconductor
MBR8020R
GeneSiC Semiconductor
MBR8030
GeneSiC Semiconductor
MBR8030R
GeneSiC Semiconductor
MBR8035
GeneSiC Semiconductor
MBR8035R
GeneSiC Semiconductor
MBR8040
GeneSiC Semiconductor
MBR8040R
GeneSiC Semiconductor
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel