Número de pieza del fabricante | S1G-JR3 |
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Número de parte futuro | FT-S1G-JR3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1G-JR3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1G-JR3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1G-JR3-FT |
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel