Número de pieza del fabricante | S1D M2G |
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Número de parte futuro | FT-S1D M2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1D M2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1D M2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1D M2G-FT |
BYG20J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel