Número de pieza del fabricante | S1G-JR2 |
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Número de parte futuro | FT-S1G-JR2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1G-JR2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1G-JR2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S1G-JR2-FT |
RS2KAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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