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Rohm Semiconductor RW1A013ZPT2R

Name: RW1A013ZPT2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RW1A013ZPT2R
Price: 0.096472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (299 reviews)

Número de pieza de MFG: RW1A013ZPT2R

Cantidad disponible: 36620 Piezas

Precio de referencia: USD 0.096472

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RW1A013ZPT2R.pdf

RW1A013ZPT2R Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RW1A013ZPT2R
Número de parte futuro	FT-RW1A013ZPT2R
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RW1A013ZPT2R Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	290pF @ 6V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WEMT
Paquete / Caja	SOT-563, SOT-666
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A013ZPT2R Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RW1A013ZPT2R-FT

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