casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SCT3022KLGC11
Número de pieza del fabricante | SCT3022KLGC11 |
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Número de parte futuro | FT-SCT3022KLGC11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCT3022KLGC11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 95A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2879pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 427W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247N |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT3022KLGC11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCT3022KLGC11-FT |
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