Número de pieza del fabricante | RU 2B |
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Número de parte futuro | FT-RU 2B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RU 2B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 2B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RU 2B-FT |
RM 10BV
Sanken
RM 10BV1
Sanken
RM 10V
Sanken
RM 10Z
Sanken
RM 10ZV
Sanken
RM 10ZV1
Sanken
RM 11A
Sanken
RM 11AV
Sanken
RM 11AV1
Sanken
RM 11B
Sanken
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel