Número de pieza del fabricante | RM 10BV |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RM 10BV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RM 10BV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 910mV @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10BV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM 10BV-FT |
RJU60C2DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RK 14
Sanken
RK 14V
Sanken
RK 16
Sanken
RK 16V
Sanken
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel