casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQA0004PXDQS#H1
Número de pieza del fabricante | RQA0004PXDQS#H1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RQA0004PXDQS#H1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
RQA0004PXDQS#H1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQA0004PXDQS#H1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQA0004PXDQS#H1-FT |
NVHL040N65S3F
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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