casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMJS1D3N04CTWG
Número de pieza del fabricante | NVMJS1D3N04CTWG |
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Número de parte futuro | FT-NVMJS1D3N04CTWG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMJS1D3N04CTWG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 41A (Ta), 235A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 128W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-LFPAK |
Paquete / Caja | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMJS1D3N04CTWG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMJS1D3N04CTWG-FT |
NP109N04PUK-E1-AY
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