casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN2118(T5L,F,T)
Número de pieza del fabricante | RN2118(T5L,F,T) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN2118(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2118(T5L,F,T) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-75, SOT-416 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SSM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2118(T5L,F,T) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN2118(T5L,F,T)-FT |
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel